RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
69
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
1831
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Inmos + 256MB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link