RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3726
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link