RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3726
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link