RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3726
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link