RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
16.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3726
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link