RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,781.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,269.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,781.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
618
2088
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Infineon (Siemens) AET560UD00-370A98Z 256MB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link