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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
69
En 48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
69
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
1831
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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