Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    60 left arrow 70
    Wokół strony 14% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 15.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 2,168.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 5300
    Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    60 left arrow 70
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,595.2 left arrow 15.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,168.2 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    941 left arrow 1923
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania