RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3300
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link