RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
95
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
95
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
1518
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link