RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
95
Por volta de 52% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
95
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
7.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
1518
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link