RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2418
2709
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link