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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
47
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
5.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
no data
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
2918
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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