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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
47
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
5.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
32
读取速度,GB/s
9.3
14.1
写入速度,GB/s
5.9
13.9
内存带宽,mbps
10600
no data
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
1413
2918
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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