RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2605
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link