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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
4,595.2
11.8
写入速度,GB/s
2,168.2
10.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2605
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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