RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3878
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link