RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
51
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
17
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3550
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link