RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
51
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
17
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3550
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link