RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
51
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
17
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3550
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link