RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
51
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
17
Velocità di lettura, GB/s
15.6
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3550
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link