RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2832
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link