RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
60
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
4235
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link