RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3246
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link