RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
60
Por volta de -58% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
13.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3246
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link