RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
60
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2319
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link