RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
50
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3404
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link