RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3832
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link