RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
99
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
99
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1499
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link