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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
99
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
99
读取速度,GB/s
4,595.2
14.2
写入速度,GB/s
2,168.2
6.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
1499
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
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Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
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