RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3122
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link