RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
60
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2200
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link