RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3332
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link