RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2696
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link