RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
60
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2963
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link