RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2187
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link