RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston KMKYF9-MIH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
60
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2187
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link