RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2848
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link