RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2527
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link