RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
60
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2277
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link