RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
60
Autour de -62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2277
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link