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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Comparez
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Note globale
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Différences
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Raisons de considérer
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.9
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1647
3259
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KM0VW4-MID 8GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
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