RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1647
3259
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link