RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1806
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link