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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
60
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.5
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
1806
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
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