RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3008
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link