RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
60
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2783
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link