RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
60
Autour de -76% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2783
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link