RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3714
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link