RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3714
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link