RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3626
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link